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Risultati da 1 a 4 di 4
  1. #1

    Link alla notizia: http://www.avmagazine.it/news/htpc/1417.html

    Il prossimo traguardo nei processi produttivi di circuiti integrati è nelle architetture a 32 nanometri che arriveranno nel corso del 2009 ma con un sensibile aumento delle spese di produzione

    Click sul link per visualizzare la notizia.

  2. #2
    Data registrazione
    Jan 2002
    Località
    Uboldo (Va)
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    492
    Peccato che arrivati al nanometro ci sarà da divertirsi, bisognerà cambiare completamente tecnologia per riuscire a realizzare dei triodi subnanometrici.
    Alex

  3. #3
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    Jan 2003
    Località
    Pinerolo (TO)
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    1.227
    e perche?

  4. #4
    Data registrazione
    Jan 2002
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    Uboldo (Va)
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    492

    Perchè scalando la lunghezza di canale, si deve scalare anche lo spessore dell'ossido di silicio del transistor. Solo che con lunghezze di canale dell'ordine della decina di nanometri o meno, si arriva a spessori dell'ossido dell'ordine di qualche angstrom, che corrisponde a pochi passi atomici di spessore. Con spessori del genere l'ossido non riesce a sopportare il campo elettrico ai suoi capi, nonostante anche il campo elettrico dovuto alla tensione applicata diminuisca con la riduzione della lunghezza del canale del transistor.
    Alex


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