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Risultati da 1 a 4 di 4
  1. #1

    Link alla notizia: http://www.avmagazine.it/news/htpc/1417.html

    Il prossimo traguardo nei processi produttivi di circuiti integrati è nelle architetture a 32 nanometri che arriveranno nel corso del 2009 ma con un sensibile aumento delle spese di produzione

    Click sul link per visualizzare la notizia.

  2. #2
    Data registrazione
    Jan 2002
    Località
    Uboldo (Va)
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    492
    Peccato che arrivati al nanometro ci sarà da divertirsi, bisognerà cambiare completamente tecnologia per riuscire a realizzare dei triodi subnanometrici.
    Alex

  3. #3
    Data registrazione
    Jan 2003
    Località
    Pinerolo (TO)
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    1.227
    e perche?

  4. #4
    Data registrazione
    Jan 2002
    Località
    Uboldo (Va)
    Messaggi
    492

    Perchè scalando la lunghezza di canale, si deve scalare anche lo spessore dell'ossido di silicio del transistor. Solo che con lunghezze di canale dell'ordine della decina di nanometri o meno, si arriva a spessori dell'ossido dell'ordine di qualche angstrom, che corrisponde a pochi passi atomici di spessore. Con spessori del genere l'ossido non riesce a sopportare il campo elettrico ai suoi capi, nonostante anche il campo elettrico dovuto alla tensione applicata diminuisca con la riduzione della lunghezza del canale del transistor.
    Alex


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