Qualcomm e Samsung hanno rinnovato la loro collaborazione nell’ambito della produzione del nuovo processore mobile Qualcomm Snapdragon 835​. Il nuovo SoC sfrutterà la tecnologia FinFET a 10nm. Rispetto ai suoi predecessori con tecnologia FinFET a 14nm, questa nuova tecnologia consente fino a un aumento del 30% dell'efficienza, con le prestazioni del 27% superiori ed un consumo di energia inferiore del 40%. Utilizzando il "FinFET a 10nm ", il processore Snapdragon 835 offrirà un ingombro ridotto per il chip, permettendo così ai costruttori di dispositivi di avere più spazio utilizzabile all'interno dei prossimi prodotti per supportare batterie più grandi o design più sottile. I miglioramenti del processo, in combinazione con un design più avanzato del chip, portaranno significativi miglioramenti anche nella durata della batteria.

"Siamo lieti di avere l'opportunità di lavorare a stretto contatto con Qualcomm Technologies nella produzione dello Snapdragon 835 utilizzando la nostra tecnologia FinFET 10nm", ha detto Jong Shik Yoon, vice presidente esecutivo e head of foundry business, Samsung. "Questa collaborazione è un importante traguardo per la nostra attività in quanto significa fiducia nella innovativa tecnologia di processo di produzione dei chip di Samsung."

"Siamo entusiasti di continuare a lavorare insieme con Samsung nello sviluppo di prodotti leader nel settore della telefonia mobile", ha dichiarato Keith Kressin, vice presidente senior, product management, Qualcomm Technologies. Inc. "Utilizzando la nuova tecnologia di processo a 10nm ci aspettiamo che il nostro nuovo processore Snapdragon 835 possa fornire una maggiore efficienza energetica e aumentare le prestazioni consentendo anche di aggiungere una serie di nuove funzionalità in grado di migliorare l'esperienza degli utenti di dispositivi mobili di domani."

Lo Snapdragon 835 è attualmente in produzione e previsto per l'utilizzo in dispositivi commerciali nella prima metà del 2017.

Per maggiori info: www.qualcomm.com