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Link alla notizia: http://www.avmagazine.it/news/htpc/1417.html
Il prossimo traguardo nei processi produttivi di circuiti integrati č nelle architetture a 32 nanometri che arriveranno nel corso del 2009 ma con un sensibile aumento delle spese di produzione
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Peccato che arrivati al nanometro ci sarą da divertirsi, bisognerą cambiare completamente tecnologia per riuscire a realizzare dei triodi subnanometrici.
Alex
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Perchč scalando la lunghezza di canale, si deve scalare anche lo spessore dell'ossido di silicio del transistor. Solo che con lunghezze di canale dell'ordine della decina di nanometri o meno, si arriva a spessori dell'ossido dell'ordine di qualche angstrom, che corrisponde a pochi passi atomici di spessore. Con spessori del genere l'ossido non riesce a sopportare il campo elettrico ai suoi capi, nonostante anche il campo elettrico dovuto alla tensione applicata diminuisca con la riduzione della lunghezza del canale del transistor.
Alex