La californiana Nanochip annuncia l'arrivo di una nuova generazione di chip di memoria con una capacità di registrazione dati di 100GB. Rispetto alle "tradizionali" memorie flash, basate su transistor, la tecnologia sviluppata dagli ingegneri statunitensi utilizza uno strato (wafer) ultra fino micro-perforato con dimensioni di 15nm di diametro per ogni bit e la struttura viene definita MEMS.

I vantaggi della struttura MEMS consentono di accrescere notevolmente la densità di dati memorizzabili a parità di area utilizzata e allo stesso tempo di abbattere i costi produttivi rispetto alle attuali flash NAND. Allo stato attuale i primi esemplari sviluppati da Nanochip consentono di archiviare 100GB di dati, ma entro pochi anni i ricercatori californiani si dicono convinti di poter raggiungere e superare 1TB di capacità grazie a celle che potranno arrivare a 2-3nm di diametro. Per poter portare a termine lo sviluppo finale dei questi prototipi (che dovrebbero poi arrivare sul mercato nel 2009) Nanochip ha recentemente approvato un rialzo di capitale di 14 milioni di dollari.  

Per maggiori approfondimenti: Nanochip technology

Fonte: Nanochip