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NAND Samsung da 32Gb a 40 nanometri

di Emidio Frattaroli, pubblicata il 11 Settembre 2006, all 14:36 nel canale MOBILE

“Samsung annuncia il primo circuito al mondo con processo produttivo a 40 nanometri; si tratta del rivoluzionario modulo di memoria di tipo NAND da 32 Gb con tecnologia Charge Trap”

Seoul, Corea, 11 Settembre 2006. Samsung Electronics, tra i leader nella produzione di semiconduttori, ha annunciato la produzione di nuovi moduli di memoria da 32 Gigabit di tipo NAND con processo produttivo ridotto a soli 40 nanometri. I nuovi integrati incorporano per la prima volta la nuova architettura CTF (Charge Trap Flash) che provvede ad aumentare sia l'efficienza produttiva che le prestazioni dei moduli stessi. 

La tecnologia CTF aumenta drasticamente l'affidabilità riducendo drasticamente il livello di rumore tra le varie celle dei moduli di memoria. La nuova tecnologia ha un'architettura molto semplice e si prevede quindi una elevata scalabilità ad iniziare dal processo produttivo che arriverà presto fino a 20 nanometri. L'architettura CTF inoltre non prevede l'utilizzo di un floating gate come nelle memorie tradizionali.

Nei moduli CTF i dati vengono conservati temporaneamente in una "camera di attesa" (holding chamber) che è situata nel layer non conduttivo della memoria, composto di nitrato di silicio (SiN). Questo comporta non solo una riduzione delle dimensioni (il control gate è grande un quinto) ma anche una più elevata affidabilità ed un miglior controllo della corrente per la memorizzazione dei dati.

I nuovi moduli da 32 Gbit potranno essere utilizzati anche nelle memory card più piccole con densità fino a 64 Giga Byte, aprendo quindi ai prodotti del segmento "mobile" ancora più opportunità. Per maggiori informazioni: www.samsungsemi.eu



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